Electro-Thermal Limitations and Device Degradation of SiGe HBTs with Emphasis on Circuit Performance - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2021

Electro-Thermal Limitations and Device Degradation of SiGe HBTs with Emphasis on Circuit Performance

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

sebastien fregonese  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03776392

Soumis le : mardi 13 septembre 2022-16:34:38

Dernière modification le : vendredi 18 octobre 2024-11:16:01

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Dates et versions

hal-03776392 , version 1 (13-09-2022)

Identifiants

Citer

Sebastien Fregonese, Chhandak Mukherjee, Holger Rucker, Pascal Chevalier, Gerhard Fischer, et al.. Electro-Thermal Limitations and Device Degradation of SiGe HBTs with Emphasis on Circuit Performance. 2021 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS), Dec 2021, Monterey, France. pp.1-7, ⟨10.1109/BCICTS50416.2021.9682476⟩. ⟨hal-03776392⟩

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