Les pièges trouvent leur origine dans différents types de défauts présents dans l'épitaxie et/ou provenant de la fabrication du transistor. Ce papier est dédié à la simulation physique et la caractérisation des pièges de surface et de la zone tampon des transistors HEMT AlGaN/GaN dopés fer à partir des caractéristiques de transconductance Y21. La simulation physique « TCAD » des paramètres Y est effectuée à l'aide du logiciel Sentaurus. La présence de ces deux pièges situés respectivement à EC-0.2 eV dans l'interface GaN/Nitrure et à EC-0.45 eV dans la zone tampon GaN est confirmée avec les résultats obtenus par la simulation du paramètre Y21. Ce papier montre clairement et pour la première fois que le paramètre Y21 est une caractéristique essentielle pour identifier les défauts localisés dans la zone tampon et en surface.