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Communication Dans Un Congrès Année : 2022

Trap Characterization in InAlN/GaN and AlN/GaN based HEMTs with Fe- and C-doped Buffers

Emmanuel Dupouy
  • Fonction : Auteur
P. Vigneshwara Raja
  • Fonction : Auteur
Florent Gaillard
  • Fonction : Auteur
Raphaël Sommet

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03745009 , version 1 (03-08-2022)

Identifiants

Citer

Emmanuel Dupouy, P. Vigneshwara Raja, Florent Gaillard, Raphaël Sommet, Jean-Christophe Nallatamby. Trap Characterization in InAlN/GaN and AlN/GaN based HEMTs with Fe- and C-doped Buffers. 2021 16th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), Apr 2022, London, United Kingdom. pp.197-200, ⟨10.23919/EuMIC50153.2022.9783939⟩. ⟨hal-03745009⟩
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