A 125-163 GHz Power Amplifier in 28-nm FD-SOI CMOS with 20 dB Gain and 15 dBm Psat for D-Band Applications - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2022

A 125-163 GHz Power Amplifier in 28-nm FD-SOI CMOS with 20 dB Gain and 15 dBm Psat for D-Band Applications

Antoine Lhomel
  • Fonction : Auteur
IMS Laboratory
N. Deltimple
Francois Rivet
CV
Y. Deval
CV
Eric Kerhervé

Domaines

Electronique

Jean Marie Pham  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03714375

Soumis le : mardi 5 juillet 2022-14:52:36

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:12

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03714375 , version 1 (05-07-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03714375 , version 1

Citer

Antoine Lhomel, N. Deltimple, Francois Rivet, Y. Deval, Eric Kerhervé. A 125-163 GHz Power Amplifier in 28-nm FD-SOI CMOS with 20 dB Gain and 15 dBm Psat for D-Band Applications. GDR SOC2, Jun 2022, Strasbourg, France. ⟨hal-03714375⟩

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