Tuner intégré large bande en gamme de fréquences millimétriques pour la caractérisation en technologie BiCMOS 55 nm - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2022

Tuner intégré large bande en gamme de fréquences millimétriques pour la caractérisation en technologie BiCMOS 55 nm

Résumé

Cet article présente une architecture innovante d’un tuner intégré en gamme de fréquences millimétriques pour répondre aux besoins de la caractérisation load-pull au-delà 140 GHz. L’architecture proposée ici est constituée d’un atténuateur variable à base d’un coupleur 3 dB en ligne microstrip et chargé sur les ports 2 et 3 par des transistors nMOS pour constituer des charges variables. Ce coupleur est terminé sur son port isolé par une ligne de transmission sur laquelle est posée une sonde court-circuitée au niveau des pointes. Le déplacement de la sonde le long de la ligne permet de réaliser une variation en phase du coefficient de réflexion présenté par le tuner à son entrée. Ainsi, une variation du coefficient est obtenue, couvrant les valeurs de 0 à 0.7 sur 360° de 140 à 220 GHz. Enfin, le tuner dispose d’un système de détection à son entrée pour mesurer les coefficients de réflexion du tuner et la puissance en sortie d’un dispositif sous test.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03702577 , version 1 (23-06-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03702577 , version 1

Citer

Caroline Maye, Marc Margalef-Rovira, Issa Alaji, Sylvie Lepilliet, D. Gloria, et al.. Tuner intégré large bande en gamme de fréquences millimétriques pour la caractérisation en technologie BiCMOS 55 nm. XXIIèmes Journées Nationales Microondes, Jun 2022, Limoges, France. ⟨hal-03702577⟩
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