Communication Dans Un Congrès
Année : 2022
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https://hal.science/hal-03681811
Soumis le : lundi 30 mai 2022-15:31:27
Dernière modification le : mardi 4 juin 2024-13:26:03
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-03681811 , version 1
Citer
Reda Elwaradi, C. Bougerol, Jash Mehta, Maud Nemoz, F Medjdoub, et al.. Investigation on GaN channel thickness downscaling in high electron mobility transistor structures grown on AlN bulk substrate. WOCSDICE EXMATEC 2022, May 2022, Ponta Delgada, Portugal. ⟨hal-03681811⟩
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