Apparent heat capacity model of the SiC MOSFET’s Aluminium top surface for short-circuits simulations - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2022

Apparent heat capacity model of the SiC MOSFET’s Aluminium top surface for short-circuits simulations

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Isabelle FAVRE  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03665892

Soumis le : jeudi 12 mai 2022-10:33:30

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03665892 , version 1 (12-05-2022)

Identifiants

Citer

F. Loche-Moinet, L. Theolier, E. Woirgard. Apparent heat capacity model of the SiC MOSFET’s Aluminium top surface for short-circuits simulations. 2022 23rd International Conference on Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems (EuroSimE), Apr 2022, St Julian, France. pp.1-6, ⟨10.1109/EuroSimE54907.2022.9758917⟩. ⟨hal-03665892⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS IMS-BORDEAUX IMS-BORDEAUX-FUSION
14 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

More