Noise and transit time in ungated FET structures - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 1997
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03612839 , version 1 (18-03-2022)

Identifiants

Citer

J. Mateos, T. Gonzalez, D. Pardo, P. Tadyszak, Francois Danneville, et al.. Noise and transit time in ungated FET structures. IEEE Transactions on Electron Devices, 1997, 44 (12), pp.2128-2135. ⟨10.1109/16.644625⟩. ⟨hal-03612839⟩
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