Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 1997
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https://hal.science/hal-03612839
Soumis le : vendredi 18 mars 2022-09:54:08
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
J. Mateos, T. Gonzalez, D. Pardo, P. Tadyszak, Francois Danneville, et al.. Noise and transit time in ungated FET structures. IEEE Transactions on Electron Devices, 1997, 44 (12), pp.2128-2135. ⟨10.1109/16.644625⟩. ⟨hal-03612839⟩
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