Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 1998
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03612828
Soumis le : vendredi 18 mars 2022-09:48:13
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
J. Mateos, D. Purdo, T. Gonzilez, P. Takyszak, Francois Danneville, et al.. Influence of Al mole fraction on the noise performance of GaAs/Al/sub x/Ga/sub 1-x/As HEMT's. IEEE Transactions on Electron Devices, 1998, 45 (9), pp.2081-2083. ⟨10.1109/16.711380⟩. ⟨hal-03612828⟩
Collections
5
Consultations
0
Téléchargements