Fermi level tuning and band alignment in Mn-doped InAs/GaSb - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Physical Review B Année : 2022

Fermi level tuning and band alignment in Mn-doped InAs/GaSb

L. Riney
University of Notre Dame [Indiana]
J. Bermejo-Ortiz
  • Fonction : Auteur
Nano-THz
G. Krizman
University of Linz - Johannes Kepler Universität Linz
S.-K. Bac
  • Fonction : Auteur
University of Notre Dame [Indiana]
J. Wang
University of Notre Dame [Indiana]
M. Zhukovskyi
  • Fonction : Auteur
University of Notre Dame [Indiana]
T. Orlova
  • Fonction : Auteur
University of Notre Dame [Indiana]
L. A de Vaulchier
Nano-THz
CV
Y. Guldner
  • Fonction : Auteur
Nano-THz
R. Winkler
  • Fonction : Auteur
Northern Illinois University
J. Furdyna
  • Fonction : Auteur
University of Notre Dame [Indiana]
X. Liu
University of Notre Dame [Indiana]
B. Assaf
  • Fonction : Auteur
University of Notre Dame [Indiana]

Domaines

Systèmes mésoscopiques et effet Hall quantique [cond-mat.mes-hall]

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https://hal.science/hal-03609877

Soumis le : mercredi 16 mars 2022-08:33:05

Dernière modification le : mardi 15 octobre 2024-14:11:45

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Dates et versions

hal-03609877 , version 1 (16-03-2022)

Identifiants

Citer

L. Riney, J. Bermejo-Ortiz, G. Krizman, S.-K. Bac, J. Wang, et al.. Fermi level tuning and band alignment in Mn-doped InAs/GaSb. Physical Review B, 2022, 105 (12), pp.125301. ⟨10.1103/PhysRevB.105.125301⟩. ⟨hal-03609877⟩

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