Mise en place d'une filière pour la réalisation de composants de puissance en diamant - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Revue Internationale de Génie Électrique Année : 2009

Mise en place d'une filière pour la réalisation de composants de puissance en diamant

Résumé

In this paper, advantages offered by diamond for power electronics and technological issues that still need to be addressed are presented. Studies were carried out to fabricate Ti/Pt/Au and Si/Al ohmic contacts on CVD diamond, both leading to a 5.10 -5 Ω.cm2 contact resistivity. Then a Schottky diode, exhibiting 1200 A/cm2 at 5 V, and a 25 V breakdown voltage is presented. Finally, the development of a simulation platform is put forward and discussed

Dates et versions

hal-03575920 , version 1 (15-02-2022)

Identifiants

Citer

Gabriel Civrac, Henri Schneider, Hui Ding, Karine Isoird, Sodjan Koné, et al.. Mise en place d'une filière pour la réalisation de composants de puissance en diamant. Revue Internationale de Génie Électrique, 2009, 12 (2), pp.237-253. ⟨10.3166/ejee.12.237-253⟩. ⟨hal-03575920⟩
24 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More