Low‐Operating‐Voltage Resistive Switching Memory Based on the Interlayer‐Spacing Regulation of MoSe 2 - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Advanced Electronic Materials Année : 2021

Low‐Operating‐Voltage Resistive Switching Memory Based on the Interlayer‐Spacing Regulation of MoSe 2

Jiaying Jian
Hao Feng
  • Fonction : Auteur
Pengfan Dong
  • Fonction : Auteur
Honglong Chang
  • Fonction : Auteur
Arnaud Vena
Capteurs RFID et Electronique Flexible
Institut d’Electronique et des Systèmes
Matériaux
CV
Brice Sorli
Institut d’Electronique et des Systèmes
Capteurs RFID et Electronique Flexible

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-03553365

Soumis le : mercredi 2 février 2022-17:17:14

Dernière modification le : jeudi 7 novembre 2024-16:14:04

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Dates et versions

hal-03553365 , version 1 (02-02-2022)

Identifiants

Citer

Jiaying Jian, Hao Feng, Pengfan Dong, Honglong Chang, Arnaud Vena, et al.. Low‐Operating‐Voltage Resistive Switching Memory Based on the Interlayer‐Spacing Regulation of MoSe 2. Advanced Electronic Materials, 2021, pp.2100905. ⟨10.1002/aelm.202100905⟩. ⟨hal-03553365⟩

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