Best Performance of n+ -p Crystalline Silicon Junction Solar Cells at 300 K, Due to the Effects of Heavy Doping and Impurity Size. I - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue American Journal of Modern Physics Année : 2019

Best Performance of n+ -p Crystalline Silicon Junction Solar Cells at 300 K, Due to the Effects of Heavy Doping and Impurity Size. I

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Physique [physics]

Joelle Sulian  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03544380

Soumis le : mercredi 26 janvier 2022-15:48:59

Dernière modification le : mercredi 4 décembre 2024-17:23:53

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Dates et versions

hal-03544380 , version 1 (26-01-2022)

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Citer

Van-Cong Huynh, Paul Blaise, Olivier Henri-Rousseau. Best Performance of n+ -p Crystalline Silicon Junction Solar Cells at 300 K, Due to the Effects of Heavy Doping and Impurity Size. I. American Journal of Modern Physics, 2019, 8 (2), pp.18-36. ⟨10.11648/j.ajmp.20190802.12⟩. ⟨hal-03544380⟩

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