Article Dans Une Revue
American Journal of Modern Physics
Année : 2019
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https://hal.science/hal-03544380
Soumis le : mercredi 26 janvier 2022-15:48:59
Dernière modification le : vendredi 5 août 2022-14:41:30
Citer
Huynh van Cong, Paul Blaise, Olivier Henri-Rousseau. Best Performance of n+ -p Crystalline Silicon Junction Solar Cells at 300 K, Due to the Effects of Heavy Doping and Impurity Size. I. American Journal of Modern Physics, 2019, 8 (2), pp.18-36. ⟨10.11648/j.ajmp.20190802.12⟩. ⟨hal-03544380⟩
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