Communication Dans Un Congrès Année : 2021
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03539418 , version 1 (21-01-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03539418 , version 1

Citer

Lamiae Hamraoui, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Remi Dussart, Mohamed Boufnichel. Atomic Layer Etching of Gallium Nitride (GaN) using fluorinated chemistry. 42nd International Symposium on Dry Process, Nov 2021, Online, Japan. ⟨hal-03539418⟩
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