Communication Dans Un Congrès
Année : 2021
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https://hal.science/hal-03539418
Soumis le : vendredi 21 janvier 2022-16:30:21
Dernière modification le : mercredi 19 février 2025-10:57:03
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-03539418 , version 1
Citer
Lamiae Hamraoui, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Remi Dussart, Mohamed Boufnichel. Atomic Layer Etching of Gallium Nitride (GaN) using fluorinated chemistry. 42nd International Symposium on Dry Process, Nov 2021, Online, Japan. ⟨hal-03539418⟩
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