Gate reflectometry for probing charge and spin states in linear Si MOS split-gate arrays - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Gate reflectometry for probing charge and spin states in linear Si MOS split-gate arrays

L. Hutin
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
T. Lundberg
  • Fonction : Auteur
A. Chatterjee
  • Fonction : Auteur
A. Crippa
J. Li
  • Fonction : Auteur
Laboratory of Atomistic Simulation
R. Maurand
  • Fonction : Auteur
X. Jehl
  • Fonction : Auteur
M. Sanquer
  • Fonction : Auteur
M. Gonzalez-Zalba
  • Fonction : Auteur
F. Kuemmeth
  • Fonction : Auteur
Y.-M. Niquet
  • Fonction : Auteur
Laboratory of Atomistic Simulation
B. Bertrand
  • Fonction : Auteur
S. de Franceschi
M. Urdampilleta
  • Fonction : Auteur
T. Meunier
  • Fonction : Auteur
M. Vinet
E. Chanrion
  • Fonction : Auteur
H. Bohuslavskyi
  • Fonction : Auteur
F. Ansaloni
  • Fonction : Auteur
T.-Y. Yang
  • Fonction : Auteur
J. Michniewicz
  • Fonction : Auteur
D. Niegemann
  • Fonction : Auteur
C. Spence
  • Fonction : Auteur

Domaines

Physique [physics]

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https://hal.science/hal-03537312

Soumis le : jeudi 20 janvier 2022-12:49:04

Dernière modification le : mardi 3 septembre 2024-11:16:05

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Dates et versions

hal-03537312 , version 1 (20-01-2022)

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Citer

L. Hutin, T. Lundberg, A. Chatterjee, A. Crippa, J. Li, et al.. Gate reflectometry for probing charge and spin states in linear Si MOS split-gate arrays. 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2019, San Francisco, France. pp.37.7.1-37.7.4, ⟨10.1109/IEDM19573.2019.8993580⟩. ⟨hal-03537312⟩

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