Double magnetic tunnel junctions with a switchable assistance layer for improved spin transfer torque magnetic memory performance - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Nanoscale Année : 2021

Double magnetic tunnel junctions with a switchable assistance layer for improved spin transfer torque magnetic memory performance

Bernard Diény
SPINtronique et TEchnologie des Composants
Daniel Sanchez Hazen
  • Fonction : Auteur
Stéphane Auffret
  • Fonction : Auteur
Isabelle Joumard
  • Fonction : Auteur
Laurent Vila
Liliana Buda-Prejbeanu
  • Fonction : Auteur
Ricardo Sousa
  • Fonction : Auteur
Lucian Prejbeanu
  • Fonction : Auteur

Résumé

This paper reports the first experimental demonstration of a new concept of double magnetic tunnel junctions comprising a magnetically switchable assistance layer.

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique Electronique Matériaux Sciences de l'ingénieur [physics] Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Bernard Dieny  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03533813

Soumis le : mercredi 19 janvier 2022-09:14:28

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:57:09

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03533813 , version 1 (19-01-2022)

Identifiants

Citer

Bernard Diény, Daniel Sanchez Hazen, Stéphane Auffret, Isabelle Joumard, Laurent Vila, et al.. Double magnetic tunnel junctions with a switchable assistance layer for improved spin transfer torque magnetic memory performance. Nanoscale, 2021, 13 (33), pp.14096-14109. ⟨10.1039/D1NR01656C⟩. ⟨hal-03533813⟩

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