Article Dans Une Revue
Semiconductor Science and Technology
Année : 2019
Philippe FERRANDIS : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03462243
Soumis le : mercredi 1 décembre 2021-16:54:31
Dernière modification le : mardi 3 septembre 2024-11:16:05
Citer
Philippe Ferrandis, Mariam El-Khatib, Marie-Anne Jaud, Erwan Morvan, Matthew Charles, et al.. Gate length effect on trapping properties in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors. Semiconductor Science and Technology, 2019, 34 (4), pp.045011. ⟨10.1088/1361-6641/ab07d2⟩. ⟨hal-03462243⟩
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