Article Dans Une Revue
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Année : 2019
Philippe FERRANDIS : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03462234
Soumis le : mercredi 1 décembre 2021-16:52:08
Dernière modification le : lundi 10 juin 2024-16:58:03
Citer
Philippe Ferrandis, Mehdi Kanoun, Bernard André. Electrical properties of thin silicon oxides grown at room temperature by ion beam sputtering technique. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2019, 30 (5), pp.4880-4884. ⟨10.1007/s10854-019-00782-7⟩. ⟨hal-03462234⟩
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