Electrical transport properties of half-heusler ScPdBi single crystals under extreme conditions - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Alloys and Compounds Année : 2020

Electrical transport properties of half-heusler ScPdBi single crystals under extreme conditions

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hal-03448658 , version 1 (30-08-2022)

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Paternité - Pas d'utilisation commerciale

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Citer

S.D. Ramarao, Amit Pawbake, Ashutosh Kumar Singh, M. Núñez-Regueiro, M.-A. Méasson, et al.. Electrical transport properties of half-heusler ScPdBi single crystals under extreme conditions. Journal of Alloys and Compounds, 2020, 848, pp.156632. ⟨10.1016/j.jallcom.2020.156632⟩. ⟨hal-03448658⟩

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