Role of H 3 + ions in deposition of silicon thin films from SiH 4 /H 2 discharges: modeling and experiments - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Plasma Sources Science and Technology Année : 2021

Role of H 3 + ions in deposition of silicon thin films from SiH 4 /H 2 discharges: modeling and experiments

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Soumis le : mercredi 24 novembre 2021-17:37:38

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hal-03447562 , version 1 (24-11-2021)

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Citer

Tinghui Zhang, Jean-Maxime Orlac’h, Monalisa Ghosh, Vincent Giovangigli, Pere Roca I Cabarrocas, et al.. Role of H 3 + ions in deposition of silicon thin films from SiH 4 /H 2 discharges: modeling and experiments. Plasma Sources Science and Technology, 2021, 30 (7), pp.075024. ⟨10.1088/1361-6595/ac0da2⟩. ⟨hal-03447562⟩

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