Le silicium obtenu par croissance cristalline de lingots massifs est la matière la plus utilisée dans l'industrie du photovoltaïque (PV). Outre les contraintes thermiques apparaissant durant la croissance, les techniques de mise en forme des lingots en substrats induisent des contraintes résiduelles faibles mais néfastes lors de la fabrication des cellules solaires. Le but de l'étude est de caractériser ces contraintes résiduelles afin d'améliorer le procédé de fabrication des substrats. La photoélasticimétrie infrarouge apparaît comme une méthode puissante pour la mesure de ces champs de contraintes faibles (quelques MPa) de façon non-destructive, sans contact et in-situ à l'échelle du substrat. Un banc de mesure a été mis en place afin de mener à bien l'étude. Les origines des contraintes résiduelles ont été dissociées et différents procédés de découpes ont été comparés.