Cathodoluminescence and electrical study of vertical GaN-on-GaN Schottky diodes with dislocation clusters - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 2020

Cathodoluminescence and electrical study of vertical GaN-on-GaN Schottky diodes with dislocation clusters

Thi Huong Ngo
  • Fonction : Auteur
Rémi Comyn
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 999684
Eric Frayssinet
  • Fonction : Auteur
Hyonju Chauveau
  • Fonction : Auteur
Sébastien Chenot
  • Fonction : Auteur
Florian Tendille
  • Fonction : Auteur
Bernard Beaumont
  • Fonction : Auteur
Jean-Pierre Faurie
  • Fonction : Auteur
Nabil Nahas
  • Fonction : Auteur
Yvon Cordier
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hal-03418915 , version 1 (09-11-2021)

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Citer

Thi Huong Ngo, Rémi Comyn, Eric Frayssinet, Hyonju Chauveau, Sébastien Chenot, et al.. Cathodoluminescence and electrical study of vertical GaN-on-GaN Schottky diodes with dislocation clusters. Journal of Crystal Growth, 2020, 552, pp.125911. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2020.125911⟩. ⟨hal-03418915⟩
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