Internal laser writing inside semiconductors by ultrafast pulses - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2021

Internal laser writing inside semiconductors by ultrafast pulses

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Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-03385652 , version 1 (19-10-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03385652 , version 1

Citer

A Wang, A Das, J Hermann, O Utéza, David Grojo. Internal laser writing inside semiconductors by ultrafast pulses. UltrafastLight 2021, 2021, Moscou, Russia. ⟨hal-03385652⟩
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