Model of the Weak Reset Process in HfO x Resistive Memory for Deep Learning Frameworks - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2021

Model of the Weak Reset Process in HfO x Resistive Memory for Deep Learning Frameworks

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Sciences de l'ingénieur [physics]
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Soumis le : lundi 7 mars 2022-15:25:50

Dernière modification le : mardi 3 septembre 2024-11:16:05

Archivage à long terme le : mercredi 8 juin 2022-20:39:27

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hal-03372056 , version 1 (07-03-2022)

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Citer

Atreya Majumdar, Marc Bocquet, Tifenn Hirtzlin, Axel Laborieux, Jacques-Olivier Klein, et al.. Model of the Weak Reset Process in HfO x Resistive Memory for Deep Learning Frameworks. IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68 (10), pp.4925-4932. ⟨10.1109/TED.2021.3108479⟩. ⟨hal-03372056⟩

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