(Invited) How to Achieve Low Thermal Resistance and High Electrothermal Ruggedness in Ga 2 O 3 Devices? - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue ECS Transactions Année : 2021

(Invited) How to Achieve Low Thermal Resistance and High Electrothermal Ruggedness in Ga 2 O 3 Devices?

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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-03366208 , version 1 (05-10-2021)

Identifiants

Citer

Yuhao Zhang, Boyan Wang, Ming Xiao, Joseph Spencer, Ruizhe Zhang, et al.. (Invited) How to Achieve Low Thermal Resistance and High Electrothermal Ruggedness in Ga 2 O 3 Devices?. ECS Transactions, 2021, 104 (5), pp.21-32. ⟨10.1149/10405.0021ecst⟩. ⟨hal-03366208⟩
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