High Aspect Ratio Heterogenous Sn-Ag Bump Structureusing a Sequential Electroplating Process and Novel Barrier - Archive ouverte HAL
Proceedings/Recueil Des Communications Année : 2020

High Aspect Ratio Heterogenous Sn-Ag Bump Structureusing a Sequential Electroplating Process and Novel Barrier

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-03364716

Soumis le : lundi 4 octobre 2021-20:50:18

Dernière modification le : vendredi 27 septembre 2024-17:21:44

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03364716 , version 1 (04-10-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03364716 , version 1

Citer

a El Amrani, E. Paradis, D. Danovitch, D. Drouin.. High Aspect Ratio Heterogenous Sn-Ag Bump Structureusing a Sequential Electroplating Process and Novel Barrier. IEEE Xplore. IEEE Electronic Components and Technology Conf, 2020. ⟨hal-03364716⟩

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