Sensing performances of integrated ISFETs on 28 nm CMOS FDSOI technology - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2020

Sensing performances of integrated ISFETs on 28 nm CMOS FDSOI technology

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-03364707

Soumis le : lundi 4 octobre 2021-20:24:12

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:37:31

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03364707 , version 1 (04-10-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03364707 , version 1

Citer

A Souifi, T Ayele G, J.P. P Cloarec, F Boeuf, S Ecoffey, et al.. Sensing performances of integrated ISFETs on 28 nm CMOS FDSOI technology. IEEE Sensors France International Workshop, Nov 2020, Villeneuve d'Ascq, France. ⟨hal-03364707⟩

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