Mm-wave single-pole double-throw switches: HBT-vs MOSFET-based designs
Marc Margalef-Rovira
(1)
,
Christophe Gaquière
(1, 2)
,
Antonio Augusto Lisboa de Souza
(3)
,
L. Vincent
(4)
,
Manuel J. Barragan
(5)
,
Emmanuel Pistono
(6)
,
Florence Podevin
(6)
,
Philippe Ferrari
(6)
1
IEMN -
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
2 PUISSANCE - IEMN - Puissance - IEMN
3 UFPB - Universidade Federal da Paraiba / Federal University of Paraiba
4 CIME - Centre Interuniversitaire de Micro-Electronique
5 TIMA-RMS - Reliable RF and Mixed-signal Systems
6 RFIC-Lab - Laboratoire de Radio-Fréquence et d'Intégration de Circuits
2 PUISSANCE - IEMN - Puissance - IEMN
3 UFPB - Universidade Federal da Paraiba / Federal University of Paraiba
4 CIME - Centre Interuniversitaire de Micro-Electronique
5 TIMA-RMS - Reliable RF and Mixed-signal Systems
6 RFIC-Lab - Laboratoire de Radio-Fréquence et d'Intégration de Circuits
Marc Margalef-Rovira
- Fonction : Auteur
- PersonId : 796577
- ORCID : 0000-0002-6049-7915
Christophe Gaquière
- Fonction : Auteur
- PersonId : 746853
- IdHAL : christophe-gaquiere
- ORCID : 0000-0003-3082-2489
- IdRef : 059765615
Manuel J. Barragan
- Fonction : Auteur
- PersonId : 22091
- IdHAL : manuel-barragan
- ORCID : 0000-0003-0187-604X
- IdRef : 198272065
Emmanuel Pistono
- Fonction : Auteur
- PersonId : 174355
- IdHAL : emmanuel-pistono
- ORCID : 0000-0002-1202-9092
- IdRef : 113118465
Florence Podevin
- Fonction : Auteur
- PersonId : 743587
- IdHAL : florence-podevin
- ORCID : 0000-0002-8477-5617
- IdRef : 059871776
Philippe Ferrari
- Fonction : Auteur
- PersonId : 174881
- IdHAL : philippe-ferrari
- ORCID : 0000-0002-2803-4830
- IdRef : 113118430
Résumé
This paper aims to compare the performance of HBT-based and MOSFET-based mm-Wave SPDT switches in a single BiCMOS technology. To the best of authors' knowledge, a direct comparison of this function in the same integrated process has never been reported before. Measurement results on two 50-GHz integrated SPDTs reveal that the HBT-based SPDT switch yields 1.7 dB of insertion loss and 14 dB of isolation in its central frequency, with a bandwidth covering the 30-80 GHz frequency range when considering a return loss greater than 10 dB. On the other hand, the MOSFET-based SPDT switch yields 2.1 dB of insertion loss and 12 dB of isolation at center frequency and a bandwidth covering the 33-80 GHz frequency range.
Domaines
Sciences de l'ingénieur [physics]Format du dépôt | Fichier |
---|---|
Type de dépôt | Communication dans un congrès |
Titre |
en
Mm-wave single-pole double-throw switches: HBT-vs MOSFET-based designs
|
Résumé |
en
This paper aims to compare the performance of HBT-based and MOSFET-based mm-Wave SPDT switches in a single BiCMOS technology. To the best of authors' knowledge, a direct comparison of this function in the same integrated process has never been reported before. Measurement results on two 50-GHz integrated SPDTs reveal that the HBT-based SPDT switch yields 1.7 dB of insertion loss and 14 dB of isolation in its central frequency, with a bandwidth covering the 30-80 GHz frequency range when considering a return loss greater than 10 dB. On the other hand, the MOSFET-based SPDT switch yields 2.1 dB of insertion loss and 12 dB of isolation at center frequency and a bandwidth covering the 33-80 GHz frequency range.
|
Auteur(s) |
Marc Margalef-Rovira
1
, Christophe Gaquière
1, 2
, Antonio Augusto Lisboa de Souza
3
, L. Vincent
4
, Manuel J. Barragan
5
, Emmanuel Pistono
6
, Florence Podevin
6
, Philippe Ferrari
6
1
IEMN -
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
( 1066983 )
- [Univ. Lille, CNRS, Centrale Lille Institut, Junia, Univ. Polytechnique Hauts-de-France] ––
Laboratoire Central – Cité Scientifique – Avenue Poincaré – CS 60069 – 59652 VILLENEUVE D’ASCQ CEDEX
- France
2
PUISSANCE - IEMN -
Puissance - IEMN
( 1067481 )
- Groupe Puissance - (Microwave Power Devices group) - IEMN UMR8520
- France
3
UFPB -
Universidade Federal da Paraiba / Federal University of Paraiba
( 310827 )
- Campus I - Lot. Cidade Universitaria, PB, 58051-900
- Brésil
4
CIME -
Centre Interuniversitaire de Micro-Electronique
( 42880 )
- CIME NANOTECH INP Grenoble - MINATEC 3 parvis Louis Néel / BP 257 38016 Grenoble Cedex 1
- France
5
TIMA-RMS -
Reliable RF and Mixed-signal Systems
( 1043046 )
- Laboratoire TIMA, 46, avenue Félix Viallet - 38031 GRENOBLE Cedex
- France
6
RFIC-Lab -
Laboratoire de Radio-Fréquence et d'Intégration de Circuits
( 1043276 )
- 46 Avenue Félix Viallet
38031 Grenoble
- France
|
Ville |
Toulon
|
Langue du document |
Anglais
|
Vulgarisation |
Non
|
Comité de lecture |
Oui
|
Invité |
Non
|
Audience |
Internationale
|
Actes |
Oui
|
Date de publication |
2021-06
|
Titre du congrès |
19th IEEE International New Circuits and Systems Conference, NEWCAS 2021
|
Date début congrès |
2021-06-13
|
Date fin congrès |
2021-06-16
|
Pays |
France
|
Source |
2021 19th IEEE International New Circuits and Systems Conference (NEWCAS)
|
Domaine(s) |
|
Éditeur commercial |
|
Financement |
|
Référence interne |
|
Projet(s) Européen(s) |
|
Mots-clés |
en
BiCMOS, HBT, mm-Wave, S-CPW, slow-wave, SPDT
|
DOI | 10.1109/NEWCAS50681.2021.9462753 |
UT key WOS | 000713009500024 |
Origine :
Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
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