High Power Normally-OFF GaN/AlGaN HEMT with Regrown p Type GaN - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Energies Année : 2021

High Power Normally-OFF GaN/AlGaN HEMT with Regrown p Type GaN

Guillaume Gommé
  • Fonction : Auteur
Ahmed Chakroun
  • Fonction : Auteur
Meriem Bouchilaoun
  • Fonction : Auteur
Marie Clara Pepin
  • Fonction : Auteur
Tom Macelwee
  • Fonction : Auteur

Résumé

In this paper is presented a Normally-OFF GaN HEMT (High Electron Mobility Transistor) device using p-doped GaN barrier layer regrown by CBE (Chemical Beam Epitaxy). The impact of the p doping on the device performance is investigated using TCAD simulator (Silvaco/Atlas). With 4E17 cm−3 p doping, a Vth of 1.5 V is achieved. Four terminal breakdowns of the fabricated device are investigated, and the origin of the device failure is identified.

Dates et versions

hal-03358709 , version 1 (29-09-2021)

Identifiants

Citer

Gwen Rolland, Christophe Rodriguez, Guillaume Gommé, Abderrahim Boucherif, Ahmed Chakroun, et al.. High Power Normally-OFF GaN/AlGaN HEMT with Regrown p Type GaN. Energies, 2021, 14 (19), pp.6098. ⟨10.3390/en14196098⟩. ⟨hal-03358709⟩
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