The structure of InAlGaN layers grown by metal organic vapour phase epitaxy : effects of threading dislocations and inversion domains from the GaN template - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Microscopy Année : 2017

The structure of InAlGaN layers grown by metal organic vapour phase epitaxy : effects of threading dislocations and inversion domains from the GaN template

Domaines

Physique [physics] Cristallographie Matériaux

Marie-Pierre Chauvat  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03351944

Soumis le : mercredi 22 septembre 2021-17:13:53

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Dates et versions

hal-03351944 , version 1 (22-09-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03351944 , version 1

Citer

Hichem Ben Ammar, Albert Minj, Piero Gamarra, Cédric Lacam, Magali Morales, et al.. The structure of InAlGaN layers grown by metal organic vapour phase epitaxy : effects of threading dislocations and inversion domains from the GaN template. Journal of Microscopy, 2017. ⟨hal-03351944⟩

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