Estimation of channel temperature and thermal sensitivity for a 0.15 μm GaN HEMT

Abu Zahed Chowdhury; Mohammad Abdul Alim; Shariful Islam; Christophe Gaquière

doi:10.1016/j.mee.2021.111595

Article Dans Une Revue Microelectronic Engineering Année : 2021

Estimation of channel temperature and thermal sensitivity for a 0.15 μm GaN HEMT

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Abu Zahed Chowdhury

Fonction : Auteur

Mohammad Abdul Alim

Fonction : Auteur
PersonId : 805455
ORCID : 0000-0002-3984-0176

Shariful Islam

Fonction : Auteur

Christophe Gaquière

Fonction : Auteur
PersonId : 746853
IdHAL : christophe-gaquiere
ORCID : 0000-0003-3082-2489
IdRef : 059765615

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https://hal.science/hal-03347666

Soumis le : vendredi 17 septembre 2021-13:49:39

Dernière modification le : mardi 4 juin 2024-13:26:03

Dates et versions

hal-03347666 , version 1 (17-09-2021)

Identifiants

HAL Id : hal-03347666 , version 1
DOI : 10.1016/j.mee.2021.111595
WOS : 000683574400006

Citer

Abu Zahed Chowdhury, Mohammad Abdul Alim, Shariful Islam, Christophe Gaquière. Estimation of channel temperature and thermal sensitivity for a 0.15 μm GaN HEMT. Microelectronic Engineering, 2021, 247, pp.111595. ⟨10.1016/j.mee.2021.111595⟩. ⟨hal-03347666⟩

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