Dissociation of GaN 2+ and AlN 2+ in APT: Electronic structure and stability in strong DC field - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue The Journal of Chemical Physics Année : 2018
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hal-03345818 , version 1 (15-09-2021)

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Citer

D. Zanuttini, F. Vurpillot, Julie Douady, Emmanuelle Jacquet, P.-M. Anglade, et al.. Dissociation of GaN 2+ and AlN 2+ in APT: Electronic structure and stability in strong DC field. The Journal of Chemical Physics, 2018, 149 (13), pp.134310. ⟨10.1063/1.5036933⟩. ⟨hal-03345818⟩
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