Optimising GaN heterostructures for 5G - Archive ouverte HAL
Autre Publication Scientifique Année : 2020

Optimising GaN heterostructures for 5G

Markus Behet
  • Fonction : Auteur
Joff Derluyn
  • Fonction : Auteur
SOITEC
Stefan Degroote
  • Fonction : Auteur
SOITEC
Marianne Germain
  • Fonction : Auteur
EpiGaN
F Medjdoub
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN

Résumé

Combining AlN or InAlN barriers with SiN passivation layers leads to exceptional performance for GaN RF devices, regardless of the choice of substrate.

Mots clés

GaN RF devices

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

Collection IEMN  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03342380

Soumis le : lundi 13 septembre 2021-12:08:23

Dernière modification le : mardi 12 novembre 2024-15:30:03

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03342380 , version 1 (13-09-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03342380 , version 1

Citer

Markus Behet, Joff Derluyn, Stefan Degroote, Marianne Germain, F Medjdoub. Optimising GaN heterostructures for 5G. Compound Semiconductors, 26, 1, 2020. ⟨hal-03342380⟩

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