Growth of Ge epilayers using iso-butylgermane (IBGe) and its memory effect in an III-V chemical beam epitaxy reactor - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 2020

Growth of Ge epilayers using iso-butylgermane (IBGe) and its memory effect in an III-V chemical beam epitaxy reactor

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

UMI3463 LN2  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03341484

Soumis le : vendredi 10 septembre 2021-18:18:02

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hal-03341484 , version 1 (10-09-2021)

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Citer

Alex Brice Poungoué Mbeunmi, Roxana Arvinte, Hubert Pelletier, Mourad Jellite, Richard Arès, et al.. Growth of Ge epilayers using iso-butylgermane (IBGe) and its memory effect in an III-V chemical beam epitaxy reactor. Journal of Crystal Growth, 2020, 547 (2), pp.125807. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2020.125807⟩. ⟨hal-03341484⟩

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