A 237 ppm / ◦ C L-Band Active Inductance Based Voltage Controlled Oscillator in SOI 0.18 µm - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2021

A 237 ppm / ◦ C L-Band Active Inductance Based Voltage Controlled Oscillator in SOI 0.18 µm

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique Electronique
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Martins, Alves, Ferreira - A 237 ppm°C L-Band Active Inductance Based Voltage Controlled Oscillator in SOI 0.18 µm - 2021.pdf (1.55 Mo) Télécharger le fichier
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Soumis le : mercredi 5 octobre 2022-11:37:35

Dernière modification le : mercredi 30 octobre 2024-13:28:08

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hal-03329925 , version 1 (05-10-2022)

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Citer

João R. Raposo de O. Martins, Francisco Alves, Pietro Maris Ferreira. A 237 ppm / ◦ C L-Band Active Inductance Based Voltage Controlled Oscillator in SOI 0.18 µm. 34th SBC/SBMicro/IEEE/ACM Symposium on Integrated Circuits and Systems Design (SBCCI), Aug 2021, Campinas, Brazil. ⟨10.1109/SBCCI53441.2021.9529990⟩. ⟨hal-03329925⟩

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