Electrical and piezoresistive characterization of boron-doped LPCVD polycrystalline silicon under rapid thermal annealing - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Sensors and Actuators A: Physical Année : 1996

Electrical and piezoresistive characterization of boron-doped LPCVD polycrystalline silicon under rapid thermal annealing

Martine Le Berre
P. Kleimann
  • Fonction : Auteur
B. Semmache
  • Fonction : Auteur
D. Barbier
  • Fonction : Auteur
P. Pinard
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-03328867 , version 1 (30-08-2021)

Identifiants

Citer

Martine Le Berre, P. Kleimann, B. Semmache, D. Barbier, P. Pinard. Electrical and piezoresistive characterization of boron-doped LPCVD polycrystalline silicon under rapid thermal annealing. Sensors and Actuators A: Physical , 1996, 54 (1-3), pp.700-703. ⟨10.1016/S0924-4247(97)80041-6⟩. ⟨hal-03328867⟩
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