How to Grow Unstrained 3C-SiC Heteroepitaxial Layers on Si (100) Substrates - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials Science Forum Année : 2001

How to Grow Unstrained 3C-SiC Heteroepitaxial Layers on Si (100) Substrates

Thierry Chassagne
  • Fonction : Auteur
Gabriel Ferro
  • Fonction : Auteur
C. Gourbeyre
  • Fonction : Auteur
Martine Le Berre
Daniel Barbier
  • Fonction : Auteur
Yves Monteil
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03328836 , version 1 (30-08-2021)

Identifiants

Citer

Thierry Chassagne, Gabriel Ferro, C. Gourbeyre, Martine Le Berre, Daniel Barbier, et al.. How to Grow Unstrained 3C-SiC Heteroepitaxial Layers on Si (100) Substrates. Materials Science Forum, 2001, 353-356, pp.155-158. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.353-356.155⟩. ⟨hal-03328836⟩
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