Laser infrarouge à base de semi-conducteurs de la filière silicium
Résumé
Nous présentons les récents développements scientifiques et techniques liés aux sources lasers infrarouges en micro-cavités à base d’alliages germanium-étain (GeSn). Ces alliages sont des matériaux semi-conducteurs de la filière silicium compatibles avec les procédés de fabrication bas coût de l’industrie de la micro-électronique. Un des enjeux est d’obtenir un alignement direct de la structure de bande électronique avec ces éléments de la colonne IV.
Domaines
Sciences de l'ingénieur [physics]| Origine | Publication financée par une institution |
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