Laser infrarouge à base de semi-conducteurs de la filière silicium - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Photoniques Année : 2021

Laser infrarouge à base de semi-conducteurs de la filière silicium

Résumé

Nous présentons les récents développements scientifiques et techniques liés aux sources lasers infrarouges en micro-cavités à base d’alliages germanium-étain (GeSn). Ces alliages sont des matériaux semi-conducteurs de la filière silicium compatibles avec les procédés de fabrication bas coût de l’industrie de la micro-électronique. Un des enjeux est d’obtenir un alignement direct de la structure de bande électronique avec ces éléments de la colonne IV.
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photon2021109p40.pdf (314.68 Ko) Télécharger le fichier
Origine : Publication financée par une institution

Dates et versions

hal-03322277 , version 1 (18-08-2021)

Identifiants

Citer

Moustafa El Kurdi, Emilie Sakat, Jean-Michel Hartmann, Vincent Reboud, Alexei Chelnokov, et al.. Laser infrarouge à base de semi-conducteurs de la filière silicium. Photoniques, 2021, 109, pp.40-43. ⟨10.1051/photon/202110940⟩. ⟨hal-03322277⟩
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