GaN-on-Silicon transistors with extremely low off-state leakage current above 3 kilovolts
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Sciences de l'ingénieur [physics]| Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
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Communication Dans Un Congrès
Année : 2017
Farid Medjdoub : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03298882
Soumis le : samedi 24 juillet 2021-20:45:08
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-03298882 , version 1
Citer
Ezgi Dogmus, Malek Zegaoui, F Medjdoub. GaN-on-Silicon transistors with extremely low off-state leakage current above 3 kilovolts. TWHM 2017(12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics), Aug 2017, Kirishima, Japan. ⟨hal-03298882⟩
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