Millimeter-wave high power GaN transistors: the race for better efficiency - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Millimeter-wave high power GaN transistors: the race for better efficiency

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Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-03298881 , version 1 (24-07-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03298881 , version 1

Citer

F Medjdoub. Millimeter-wave high power GaN transistors: the race for better efficiency. Millimeter-wave high power GaN transistors: the race for better efficiency, May 2017, Turin, Italy. ⟨hal-03298881⟩
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