Substrate grounded GaN-on-Si HEMTs with record vertical breakdown above 2 kV - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Substrate grounded GaN-on-Si HEMTs with record vertical breakdown above 2 kV

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

Farid Medjdoub  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03298876

Soumis le : samedi 24 juillet 2021-20:20:19

Dernière modification le : mardi 4 juin 2024-13:26:03

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03298876 , version 1 (24-07-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03298876 , version 1

Citer

Ezgi Dogmus, Astrid Linge, Malek Zegaoui, F Medjdoub. Substrate grounded GaN-on-Si HEMTs with record vertical breakdown above 2 kV. 12th International Conference on Nitride Semiconductors 2017 (ICNS-12), Jul 2017, Strasbourg, France. ⟨hal-03298876⟩

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