Degradation of InGaN-based optoelectronic devices under electrical and optical stress - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Degradation of InGaN-based optoelectronic devices under electrical and optical stress

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Sciences de l'ingénieur [physics]
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Farid Medjdoub  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

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Dates et versions

hal-03288175 , version 1 (16-07-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03288175 , version 1

Citer

Carlo de Santi, Matteo Meneghini, Alessandro Caria, Nicola Renso, Ezgi Dogmus, et al.. Degradation of InGaN-based optoelectronic devices under electrical and optical stress. 50th Annual Meeting of the Associazione Società Italiana di Elettronica (SIE), Jun 2018, Naples, Italy. ⟨hal-03288175⟩

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