First demonstration of RF GaN-based transistors using buffer-free heterostructures with low trapping effects - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

First demonstration of RF GaN-based transistors using buffer-free heterostructures with low trapping effects

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Sciences de l'ingénieur [physics]
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https://hal.science/hal-03288139

Soumis le : vendredi 16 juillet 2021-10:49:51

Dernière modification le : mardi 20 août 2024-14:52:52

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Dates et versions

hal-03288139 , version 1 (16-07-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03288139 , version 1

Citer

R Pecheux, Riad Kabouche, Malek Zegaoui, J T Chen, O Kordina, et al.. First demonstration of RF GaN-based transistors using buffer-free heterostructures with low trapping effects. International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2018, Nov 2018, Kanazawa, Japan. ⟨hal-03288139⟩

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