In Situ Doped Polysilicon (ISDP) Hydrophilic Direct Wafer Bonding for MEMS Applications - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue ECS Journal of Solid State Science and Technology Année : 2021

In Situ Doped Polysilicon (ISDP) Hydrophilic Direct Wafer Bonding for MEMS Applications

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-03278607

Soumis le : lundi 5 juillet 2021-17:12:06

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:51:33

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Dates et versions

hal-03278607 , version 1 (05-07-2021)

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Citer

Romain Stricher, Paul Gond-Charton, Amrid Amnache, Jose Francisco Ambia Campos, Luc Frechette, et al.. In Situ Doped Polysilicon (ISDP) Hydrophilic Direct Wafer Bonding for MEMS Applications. ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2021, 10 (6), pp.064010. ⟨10.1149/2162-8777/ac0b8f⟩. ⟨hal-03278607⟩

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