Epitaxial growth of tantalum carbides by low carbon flow carburizing

Dominique Cotton; Philippe Jacquet; Sébastien Faure; Vincent Vignal

doi:10.1016/j.matchemphys.2016.12.063

Article Dans Une Revue Materials Chemistry and Physics Année : 2017

Epitaxial growth of tantalum carbides by low carbon flow carburizing

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Dominique Cotton

Fonction : Auteur
PersonId : 775290
ORCID : 0000-0001-8887-085X
IdRef : 188712046

Philippe Jacquet

Fonction : Auteur
PersonId : 1103417

LabECAM

Laboratoire Bourguignon des Matériaux et Procédés

Sébastien Faure

Fonction : Auteur

Vincent Vignal

Fonction : Auteur
PersonId : 831716
IdHAL : vincent-vignal
IdRef : 079704859

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

Philippe JACQUET : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03272123

Soumis le : lundi 28 juin 2021-10:32:46

Dernière modification le : jeudi 20 juin 2024-16:03:25

Dates et versions

hal-03272123 , version 1 (28-06-2021)

Identifiants

HAL Id : hal-03272123 , version 1
DOI : 10.1016/j.matchemphys.2016.12.063

Citer

Dominique Cotton, Philippe Jacquet, Sébastien Faure, Vincent Vignal. Epitaxial growth of tantalum carbides by low carbon flow carburizing. Materials Chemistry and Physics, 2017, 192, pp.170-180. ⟨10.1016/j.matchemphys.2016.12.063⟩. ⟨hal-03272123⟩

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