Article Dans Une Revue
Advanced Electronic Materials
Année : 2020
Marie-Hélène Berger : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03193521
Soumis le : jeudi 8 avril 2021-21:09:33
Dernière modification le : mardi 27 août 2024-12:52:53
Citer
Brian Holler, Kyle Crowley, Marie-Hélène Berger, Xuan Gao. 2D Semiconductor Transistors with Van der Waals Oxide MoO 3 as Integrated High‐κ Gate Dielectric. Advanced Electronic Materials, 2020, 6 (10), pp.2000635. ⟨10.1002/aelm.202000635⟩. ⟨hal-03193521⟩
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