High Aspect Ratio Heterogenous Sn-Ag Bump Structure using a Sequential Electroplating Process and Novel Barrier - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2020

High Aspect Ratio Heterogenous Sn-Ag Bump Structure using a Sequential Electroplating Process and Novel Barrier

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Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-03178718

Soumis le : mercredi 24 mars 2021-03:26:24

Dernière modification le : lundi 16 décembre 2024-15:38:53

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03178718 , version 1 (24-03-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03178718 , version 1

Citer

Mohamed El Amrani, Etienne Paradis, David Danovitch, Dominique Drouin. High Aspect Ratio Heterogenous Sn-Ag Bump Structure using a Sequential Electroplating Process and Novel Barrier. IEEE Electronic Components and Technology Conf, Jun 2020, Lake Buena Vista, United States. ⟨hal-03178718⟩

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