Voided Ge/Si Platform to Integrate III-V Materials on Si - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue ECS Transactions Année : 2019

Voided Ge/Si Platform to Integrate III-V Materials on Si

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-03178713

Soumis le : mercredi 24 mars 2021-03:00:03

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Dates et versions

hal-03178713 , version 1 (24-03-2021)

Identifiants

Citer

Youcef Ataellah Bioud, Abderraouf Boucherif, Maksym Myronov, Gilles Patriarche, Dominique Drouin, et al.. Voided Ge/Si Platform to Integrate III-V Materials on Si. ECS Transactions, 2019, 93 (1), pp.81-85. ⟨10.1149/09301.0081ecst⟩. ⟨hal-03178713⟩

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