Article Dans Une Revue
ECS Transactions
Année : 2019
UMI3463 LN2 : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03178713
Soumis le : mercredi 24 mars 2021-03:00:03
Dernière modification le : mardi 28 mai 2024-11:48:02
Citer
Youcef Ataellah Bioud, Abderraouf Boucherif, Maksym Myronov, Gilles Patriarche, Dominique Drouin, et al.. Voided Ge/Si Platform to Integrate III-V Materials on Si. ECS Transactions, 2019, 93 (1), pp.81-85. ⟨10.1149/09301.0081ecst⟩. ⟨hal-03178713⟩
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